สืบค้นเอกสารฉบับเต็ม (Full Text) จากฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ (Thesis Database)
ของบัณฑิตวิทยาลัย มหาวิทยาลัยราชภัฏสกลนคร

ชื่อวิทยานิพนธ์
การตรวจสอบสมบัติอิเล็กทรอนิกและเทอร์โมอิเล็กทริกของโลหะ ไทเทเนียม-นิกเกิล-ดีบุก ฮาร์ฟฮอยส์เลอร์ ด้วยทฤษฎีฟังก์ชันความหนาแน่น

Investigation of electronic and thermoelectric properties of Ti-Ni-Sn half Heusler alloys by density functional theory

ผู้จัดทำ
มีนา ฤทธิร่วม

รหัส
59532103101

ระดับ
ป.เอก ภาคปกติ

หลักสูตร
ปรัชญาดุษฎีบัณฑิต (ปร.ด.)

สาขา
ฟิสิกส์

ปี พ.ศ.
2562

ที่ปรึกษา
รองศาสตราจารย์ ดร.ทศวรรษ สีตะวัน, รองศาสตราจารย์ ดร.อนุชา แยงไธสง

บทคัดย่อ

วัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกไททาเนียมนิกเกิลดีบุก (TiNiSn) ฮาร์ฟฮอยส์เลอร์ มีค่าไดเมนชันเลสฟิกเกอร์ออฟเมอริท ( ) ~0.3 ที่ช่วงอุณหภูมิ 600 – 800 เคลวิล อย่างไรก็ตาม ค่า  ของโลหะ TiNiSn ยังมีค่าน้อยกว่าวัสดุเทอร์โมอิเล็กทริกบิสมัทเทลลูไรด์ (Bi2Te3) ซึ่งเป็นปัญหาของโลหะนี้ งานวิจัยนี้จึงเสนอการตรวจสอบเชิงทฤษฎีเกี่ยวกับสมบัติอิเล็กทริกนิกและเทอร์โมอิเล็กทริกของโลหะ TiNiSn ฮาร์ฟฮอยส์เลอร์ ซึ่งประกอบด้วยการบกพร่องด้วยตัวเองของ TiNiSn และการเจือธาตุในตำแหน่งของ Ti และ Sn บน TiNiSn ตรวจสอบสมบัติอิเล็กทรอนิก เชิงความร้อน และเทอร์โมอิเล็กทริกภายใต้พื้นฐานทฤษฎีฟังก์ชันความหนาแน่นกับสมการการส่งผ่านของโบลทซ์มันน์ และแบบจำลองกึ่งฮาร์มอนิกของเดอบาย ผลการตรวจสอบพบว่า การบกพร่องด้วยตัวเองของ TiNiSn เปลี่ยนแปลงความเข้มข้นของอิเล็กตรอนและเพิ่มประสิทธิภาพของเทอร์โมอิเล็กทริก การเจือโลหะทรานซิชันในตำแหน่งของ Ti สามารถปรับปรุงโครงสร้างและสมบัติเชิงความร้อน ยิ่งไปกว่านั้นยังลดสภาพนำความร้อนเชิงแลตทิซได้ นอกจากนี้การเจือร่วมโลหะทรานซิชันในตำแหน่งของ Ti และธาตุหมู่ 5A เจือในตำแหน่งของ Sn สามารถปรับปรุงโครงสร้างอิเล็กทรอนิกอย่างมีนัยสำคัญและทำให้ค่า  เพิ่มร้อยละ 40 – 175


Abstract

The maximum dimensionless figure of merit ( ) of TiNiSn half Heusler thermoelectric (TE) materials is ~0.3 at 600 – 800 K. However, the  of TiNiSn alloy is still less than that of Bi2Te3–based TE materials, which is a problem for these alloys. This work presents a theoretical investigation on electronic and thermoelectric properties of TiNiSn-based half Heusler alloys. This investigation is composed of self-defects and elements doped at the Ti- and Sn-sites of TiNiSn. The electronic, thermal, and thermoelectric properties are investigated using density functional theory-based calculations, Boltzmann transport equation, and quasi-harmonic Debye model. The results show that self-defects affect the electron concentration and enhanced the TE performance. Doping transition metals (TM) at the Ti-site modified the structural and thermal properties, as well as reduced the lattice thermal conductivity. Codoping TM at the Ti-site and doping group 5A elements at the Sn-site significantly improved the power factor and the  increased by 40 – 175%.


คำสำคัญ
การคำนวณหลักการแรก, โลหะฮาร์ฟฮอยส์เลอร์, สมการการส่งผ่านของโบลทซ์มันน์, สมบัติเชิงความร้อน, วัสดุเทอร์โมอิเล็กทริก

Keywords
First-principles calculation, half Heusler alloys, Boltzmann transport equation, thermal properties, thermoelectric materials

ไฟล์วิทยานิพนธ์
ชื่อไฟล์ ขนาดไฟล์
01_cov 90687 KB
02_app 340840 KB
03_ack 32433 KB
04_abs 62517 KB
05_tbc 138267 KB
06_ch1 1407408 KB
06_ch2 1542761 KB
06_ch3 1767768 KB
06_ch4 2478510 KB
06_ch5 3161885 KB
06_ch6 44746 KB
07_ref 223483 KB
08_ap1 41109 KB
08_ap2 49115 KB
09_bio 38356 KB

วันที่นำเข้าข้อมูล
4/17/2020 10:52:36 PM

View
683 ครั้ง